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在此基础上，系列当不全位错继续滑动时，则会导致CABCACBCAB的堆垛顺序，在第三层原子面的滑动，将会导致纳米孪晶的形成。除了大角度晶界，交流接触进孪晶界等界面外，多晶材料中还存在倾斜晶界，倾斜晶界又可以分为对称倾斜晶界和非对称倾斜晶界。
如图1所示，器何在本高熵合金中，位错的钉扎可以使位错密度增加，从而提高了合金的位错贮存能力，有利于合金塑性的提高。正泰旋转锻压同时引入了铜丝轴线上的超长晶粒和晶粒内部的高密度位错。在本文中，系列以成本低廉，工艺和成分简单的Fe-30Mn-0.11C钢为对象，研究了其在液氮温度的低温韧性。
ED,电沉积;SPS，交流接触进放电等离子烧结;ECAP/R/E，等通道角压/滚压/挤压;DCT，深冷处理;DPD，动态塑性变形;CR,冷轧;SMGT，表面机械磨削处理;LSEM，大应变挤压加工。通过高分辨HAADF-STEM图像，器何该文作者观察到重金属元素富集会导致合金了在塑性变形过程中位错的这种钉扎特点。
图2图解说明了层错、正泰纳米孪晶和hcp相的形成。
在金属领域，系列研究内容最为复杂的则是相变以及缺陷，它们直接关系着材料组织和性能的调控。交流接触进（b）Ti3C2Tx/CNTs/Co薄膜和PDMS@Ti3C2Tx/CNTs/Co薄膜的接触角。
实现了-85.8dB的强反射损耗和1.4mm的超薄厚度，器何高EMI屏蔽效率达到110.1dB。（g）CNTs/Co-5.0mm、正泰Ti3C2Tx/CNTs/Co-1.4mm和Ti3C2Tx-1.0mm的RL图。
此外，系列PDMS@Ti3C2Tx/CNTs/Co薄膜表现出优异的光热转换性能、高热循环稳定性和韧性。改进后的Ti3C2Tx/CNTs/Co纳米复合材料实现了-85.8dB的强反射损耗、交流接触进6.1GHz的宽EAB、1.4mm的超薄厚度和5wt%的超低填料负载能力和优化的阻抗匹配。
